目前半導體激光的輸出波長從405 ~1500 nm有多種選擇，作業方式有接連和脈沖運行。一般用波長和作業方式來限制其稱號，如：630 nm接連半導體激光器、780 nm脈沖半導體激光管等；也有用半導體資料來直接限制稱號，如：砷化鎵半導體激光管、砷鋁鎵半導體激光管等。半導體激光具有體積小、效率高、能直接利用電源對輸出激光進行調制等獨特優點，適用于要求設備輕便且激光輸出功率要求不高的場合。一臺巨細與一般計算機差不多的半導體激光單元，具有比其體積大得多的激光管所具有的同樣功用。它除了價格低廉外，由于電、光效率較高、作業壽數較長，所以運轉費用也較低，二極管激光管的壽數要比離子激光管長得多。由于其波長從紫外到紅外波段可選擇規模寬，可經光纖傳輸，臨床應用規模越來越寬。
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